SI2307BDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI2307BDS-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.59 |
10+ | $0.52 |
100+ | $0.3985 |
500+ | $0.315 |
1000+ | $0.252 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | SOT-23-3 (TO-236) |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78mOhm @ 3.2A, 10V |
Verlustleistung (max) | 750mW (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 380 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2.5A (Ta) |
Grundproduktnummer | SI2307 |
SI2307BDS-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI2307BDS-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
VISHAY SOT-23
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
VISHAY SOT23-3
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
KEFAN SOT23-3
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
SI2307CDS VISHAY
SOT-23
MOSFET P-CH 30V 2.7A/3.5A SOT23
SI2307BDS SQ
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
30V 3A 1.25W 80MR@10V,3A 3V@250A
VISHAY SOT23
SI2307BDS-TI-E3 VISHAY
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SI2307BDS-T1-GE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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